RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
53
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3091
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link