RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
53
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3652
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link