RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3652
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link