RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2908
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link