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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2908
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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