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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
38
Velocità di lettura, GB/s
12.5
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2908
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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