RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
53
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
3546
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link