RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
53
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.9
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
7.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
1939
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link