RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
53
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.6
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
6.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
1832
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link