RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
53
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2370
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link