RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
53
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
1989
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link