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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
53
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
50
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
7.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2064
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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