RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
53
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2199
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link