RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
3084
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link