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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
25
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
19.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
4293
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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