RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2942
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link