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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2239
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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