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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2560
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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