RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
96
Por volta de -336% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2862
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link