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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
96
Por volta de -220% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
6.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
1254
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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