RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
96
Por volta de -269% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.7
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
23.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
18.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
4124
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link