RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
96
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
9.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2358
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link