RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
96
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.7
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
22.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
18.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
4202
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link