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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
96
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
66
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
1877
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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