RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
96
Por volta de -191% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2250
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link