RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
96
Por volta de -336% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3110
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link