RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
96
Por volta de -256% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2379
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link