RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
96
Por volta de -317% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
18.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
4095
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link