RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2354
2786
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparações de RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link