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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
3546
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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