RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2370
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link