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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
44
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
1949
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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