RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
1949
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link