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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
3285
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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