RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
3023
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link