RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
2731
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link