RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2731
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link