A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 40

Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.8 11.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 21
Скорость чтения, Гб/сек

11.3 18.8
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1654 3168

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

Kingston 99U5723-002.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM