RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
94
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
37
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3170
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C11-8GAR 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link