A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 94

Около -262% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.7 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 26
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 19.3
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 3733

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB

модули RAM