RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
94
Около -203% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
31
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2888
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link