RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
94
Около -292% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
24
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3950
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link