A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 94

Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.4 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 43
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 11.4
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 2532

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

модули RAM