RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
94
Около -194% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3851
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link