RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
94
Около -224% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3594
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link