RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
94
Около -292% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
24
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3095
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link