RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
74
94
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
74
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
1616
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link