A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB против A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

67 67
Скорость чтения, Гб/сек

4,538.0 4,538.0
Скорость записи, Гб/сек

1,866.0 1,866.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 6400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

727 727

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kllisre D4 8G 8GB

Kllisre D4 8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM