RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link