RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2513
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link